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不止在制造！SK海力士开发出新一代HBM测试装备

【CNMO科技动静】近日，据韩媒报导，SK海力士已经乐成开发出合用在下一代产物HBM4（第六代高带宽存储器）的封装测试装备，并在上个月顺遂经由过程了内部的质量认证。此举旨于将原本由代工场卖力的体系级测试环节内化，以应答HBM产物与人工智能芯片联合后愈发繁杂的检测需求。据CNMO相识，该装备是一种体系级封装检测装备，重要用在

2026年02月25日 HBM之父：HBF市场范围10年后将逾越HBM 韩企主导

【CNMO科技动静】CNMO从韩媒获悉，于近日在韩国首尔进行的“HBF研究内容与技能开发战略申明会”上，被誉为“HBM之父”的韩国科学技能院（KAIST）传授金正浩（KimJeong-ho）指出，估计来岁实现贸易化的下一代NAND闪存产物——高带宽闪存（HBF），其市场范围将于约莫10年后逾越当前AI半导体的焦点部件高带宽内存（HBM）。金正

2026年02月04日英伟达“Rubin”平台遇阻 HBM4规格进级致使量产延迟

【CNMO科技动静】1月8日，TrendForce集邦咨询的最新查询拜访陈诉显示，英伟达2025年第三季对于其行将推出的Rubin平台（第三代GPU架构）的HBM4存储技能规格举行了上调。这次调解将对于HBM（高带宽存储器）单针速度的要求提高至高在11Gbps，这一变更迫使三年夜HBM供给商（SK海力士、三星、美光）必需批改设计并从头送样其HBM4产物。该机

2026年01月08日美光加快HBM4芯片扩产与三星、SK海力士正面竞争

【CNMO科技动静】据外媒报导，跟着英伟达正式量产搭载HBM4（高带宽内存）的AI芯片“VeraRubin”，全世界存储巨头美光科技正年夜幅加码该范畴产能结构。据行业动静，美光规划于2026年将HBM4月产能晋升至1万5000片晶圆范围，占其总体HBM总产能（约5万5000片/月）的近30%，显示出其全力押注下一代AI内存市场的战略用意。HBM4作为专

2026年01月06日 SK海力士HBM4量产提早4个月争取英伟达Rubin定单

【CNMO科技动静】近日，据韩媒报导，SK海力士已经将位在韩国清州的M15X新工场（被誉为“HBM4专用工场”）的量产时间表年夜幅提早4个月，规划在来岁2月最先投入用在HBM4的1b纳米制程DRAM量产晶圆，原按时间为6月。早期产能约1万片晶圆，并规划于年末前扩展至数万片范围。今朝，相干出产装备正于抓紧投入与安装。这一激进举措被普

2025年12月25日三星与SK海力士将敲定HBM4供给合同美光失队了？

【CNMO科技动静】CNMO从韩媒获悉，韩国两年夜存储芯片巨头三星及SK海力士，已经进入向英伟达供给HBM4的终极协调阶段。按照行业信息，两家公司均已经向英伟达下一代人工智能加快器“Rubin”提供了付费的终极HBM4样品。三星HBM4据悉，付费样品供给凡是象征着产物机能已经靠近客户要求，被视为正式合同签署前的末了旌旗灯号。只管终极的质量

2025年12月17日英伟达Rubin倒计时三星、SK海力士HBM4供给争取战进级

【CNMO科技动静】CNMO从韩媒获悉，三星正加快扩展其10纳米级第六代（1c）DRAM的出产范围，方针是为其重要客户英伟达供给下一代高带宽内存HBM4。这一举措旨于确保三星能于2026年下半年英伟达推出搭载HBM4的RubinGPU时，成为“首选供给商”。HBM4今朝，三星已经向英伟达交付HBM4样品，并吐露其样品运行速率跨越11Gbps，跨越了客

2025年12月05日单价涨50%！三星完成HBM4开发并经由过程量产预备审批

【CNMO科技动静】CNMO从韩媒获悉，三星已经完成第六代高带宽内存（HBM4）的开发，并内部经由过程了量产预备审批（PRA），这是量产前的终极阶段。该冲破象征着其制造竞争力已经直接转化为盈利能力，而非仅逗留于技能完成层面。据悉，三星经由过程将10纳米级第六代（1c）DRAM与采用4纳米逻辑工艺制造的基础芯片联合，解决了发烧及速率问题

2025年12月04日 AI芯片再进化：HBM基底芯片将直接集成GPU运算单位

【CNMO科技动静】CNMO不雅察到，全世界科技巨头正鞭策于下一代高带宽内存（HBM）中直接集成图形处置惩罚器（GPU）焦点，以冲破AI计较机能与能效的瓶颈。这一技能动向也象征着存储器与体系半导体之间的边界正于被打破。HBM据业界多名知恋人士吐露，Meta与英伟达正切磋于HBM的基底芯片（BaseDie）中嵌入GPU焦点的方案，并已经与SK海力士

2025年11月27日 HBM4争取战白热化！SK海力士、三星、美光量产竞速

【CNMO科技动静】近日，有外媒报导称，全世界三年夜存储巨头SK海力士、美光科技及三星电子正缭绕价值1000亿美元的HBM4市场睁开激烈竞争。CNMO留意到，美光科技近期公布已经最先送样下一代HBM4内存，其带宽冲破2.8TB/s，引脚速率跨越11Gbps，年夜幅逾越JEDEC官方尺度。该公司CEO桑杰·梅赫罗特拉（SanjayMehrotra）暗示，该12层重叠产